Interakcija nizkotlačne O2 in H2 plazme s površinami trdnih snovi

Evidenčna št.

J2-9057 (C) - iz evidence ARIS

Vodja

dr. Rudolf Ročak

Obdobje

1.1.1997 - 31.12.1999

Veda

Tehnika (10)

Status raziskovalca

Raziskovalec (10)
Strokovni ali tehnični sodelavec (0)

Izobrazba

Doktorat znanosti (4)
Magisterij (2)
Drugi (4)

Spol

Ženski (1)
Moški (9)

Status

Zaposlen v RO+RRD (3)
Ni podatka o zaposlitvi v RO (1)
Neažuriran (3)
Upokojen (2)
Umrl (1)

Število publikacij

0 (1)
10–99 (6)
100–999 (2)
1.000–9.999 (1)

Projekti / Programi vir: ARIS

vir: ARIS

Interakcija nizkotlačne O2 in H2 plazme s površinami trdnih snovi

Raziskovalna dejavnost

Koda	Veda	Področje	Podpodročje
2.09.02	Tehnika	Elektronske komponente in tehnologije	Elektronske komponente

Ključne besede

razelektritve električne, RF razelektritve radiofrekvenčne, H-plazma vodikova, interakcija H-plazme vodikove s površino, O-plazma kisikova, interakcija O-plazme kisikove s površino, čiščenje površin, čiščenje plazemsko, aktiviranje površine, sonde katalitične, sonde katalitične nikljeve, Langmuirjeve sonde

Vrednotenje (pravilnik)

vir: COBISS

Vrednotenje bibliografskih kazalcev raziskovalne uspešnosti po metodologiji ARIS

Citiranost Citiranost bibliografskih zapisov v COBIB.SI, ki so povezani z zapisi citatnih baz

vir: WoS

vir: Scopus

vir: COBISS

Raziskovalci (10)

št.	Evidenčna št.	Ime in priimek	Razisk. področje	Vloga	Obdobje	Štev. publikacijŠtev. publikacij
1.	01694	Zlatko Bele	Elektronske komponente in tehnologije	Raziskovalec	1997 - 1999	17
2.	05640	mag. Brane Kren	Elektronske komponente in tehnologije	Raziskovalec	1997 - 1999	15
3.	10429	dr. Miran Mozetič	Elektronske komponente in tehnologije	Raziskovalec	1997 - 1999	1.352
4.	09619	Karol Požun	Elektronske komponente in tehnologije	Raziskovalec	1997 - 1999	56
5.	09105	Borut Praček	Elektronske komponente in tehnologije	Raziskovalec	1997 - 1999	113
6.	05647	dr. Rudolf Ročak	Elektronske komponente in tehnologije	Vodja	1997 - 1999	20
7.	10497	mag. Sonja Spruk	Elektronske komponente in tehnologije	Raziskovalec	1997 - 1999	29
8.	13059	Miroslav Stipančič	Elektronske komponente in tehnologije	Raziskovalec	1999	0
9.	01718	dr. Iztok Šorli	Elektronske komponente in tehnologije	Raziskovalec	1997 - 1999	63
10.	01741	dr. Anton Zalar	Elektronske komponente in tehnologije	Raziskovalec	1998 - 1999	383

Organizacije (1)

št.	Evidenčna št.	Razisk. organizacija	Kraj	Matična številka	Štev. publikacijŠtev. publikacij
1.	0341	MIKROIKS, mikroelektronski inženiring, konzultacije in servis, d.o.o.	Ljubljana	5286646	70

Povzetek

Preiskovali bomo interakcijo nizkotlačne šibkoionizirane vodikove in kisikove plazme s površino trdnih snovi. Parametre plazme bomo merili z Langmuirjevimi in katalitičnimi sondami, pojave na površinah pa bomo spremljali z metodami AES, ESCA, SEXAFS, SEM, alpha step in testom omočljivosti. Razvili, izdelali in testirali bomo nov tip katalitične sonde, s katero bomo izmerili gostoto H tudi v plazmi z visoko stopnjo disociiranosti in v režah med vzorci. Rezultat raziskave bodo kvantitativni podatki o hitrosti redukcije tankih plasti oksidov na kovinskih vzorcih v odvisnosti od parametrov plazme. Določili bomo tudi hitrost nizkotemperaturne oksidacije plastičnih materialov med izpostavo kisikovi plazmi in testirali morebitno povečano omočljivost in oprijemljivost na teh materialih. Moderne tehnologije čiščenja sestavnih delov v elektronski industriji v veliki meri temeljijo na uporabi nizkotlačne šibkoionizirane vodikove in kisikove plazme. Klasične tehnologije mokrega kemijskega čiščenja se opuščajo zaradi slabe kakovosti in ekološke neprimernosti. Odpadni produkt mokrega kemijskega čiščenja je namreč velika količina rabljenih kemikalij, ki se jih običajno ne da reciklirati, ekološko neoporečno uničenje teh kemikalij pa zahteva velika finančna sredstva. Idealna zamenjava za mokro kemijsko čiščenje je uporaba plazme kemijsko reaktivnih plinov. Za odstranjevanje organskih nečistoč se uporablja kisikova, za redukcijo oksidnih nečistoč pa vodikova plazma. Interakcija kemijsko aktivnih delcev, ki jih generiramo v nizkotlačni plazmi, s tankimi plastmi nečistoč na površini trdnih snovi, je v literaturi razmeroma slabo opisana. Predvsem manjka kvantitativnih podatkov o hitrosti odstranjevanja nečistoč v odvisnosti od gostote toka kemijsko aktivnih delcev na površino. Rezultati izpostave vzorcev nizkotlačni plazmi so pogosto predstavljeni z neko lastnostjo materiala, npr. površinsko energijo, omočljivostjo, oprijemljivostjo ali kontaktno upornostjo. Problem, ki ga nameravamo raziskati, je vpliv parametrov plazme na kemijske reakcije na površini trdnih snovi. Parametre plazme bomo merili z različnimi vrstami Langmuirjevih sond in s posebno izvedbo katalitične sonde, s katero nameravamo meriti gostoto toka kemijsko aktivnih električno nevtralnih delcev na površino vzorca. Reakcije na površini bomo spremljali z instrumenti za analizo površin in tankih plasti: AES, XPS, SEXAFS, rezultate izpostave vzorcev kisikovi plazmi pa bomo merili z metodami alpha step, SEM, in testom omočljivosti. Določili bomo hitrost redukcije različnih kovinskih oksidov v odvisnosti od debeline oksidne plasti in gostote toka nevtralnih atomov vodika na površino. Pri preiskavi interakcije kisikove plazme z organskimi vzorci pa bomo določili hitrost jedkanja vzorcev v odvisnosti od gostote plazme in gostote toka atomarnega kisika na površino vzorca. Z uspešno izpeljavo raziskav v okviru tega projekta bomo pridobili temeljna znanja, ki so potrebna za razvoj tehnologij, ki jih bo morala slovenska industrija vpeljati v naslednjem desetletju, če naj proizvodne postopke uskladi z ostrimi ekološkimi normami, ki že veljajo v Evropski skupnosti pri onesnaževanju okolja z odpadnimi kemikalijami.