Nalaganje ...
Projekti / Programi vir: ARIS

Raziskava kritičnih pojavov v polprevodniških, senzorskih in aktuatorskih strukturah

Raziskovalna dejavnost

Koda Veda Področje Podpodročje
2.09.02  Tehnika  Elektronske komponente in tehnologije  Elektronske komponente 

Koda Veda Področje
T001  Tehnološke vede  Elektronika in elektriška tehnologija 
Ključne besede
radiacijsko-detektorske strukture, JFET strukture, JFET integracija, defekti, SiGe strukture, oženje prepovedanega pasu, efektivna masa vrzeli, nizkotemperaturne meritve, modeliranje procesa, modeliranje elementov, mikroobdelava, 3D strukture, senzorske strukture, aktuatorske strukture, piezorezistivnost, membrane, odebeljene membrane, integracija 3D struktur, mokro jedkanje, suho jedkanje, plazemsko jedkanje, izotropno jedkanje, anizotropno jedkanje, samokompenzacija jedkanja, spajanje ploščic
Vrednotenje (pravilnik)
vir: COBISS
Raziskovalci (8)
št. Evidenčna št. Ime in priimek Razisk. področje Vloga Obdobje Štev. publikacijŠtev. publikacij
1.  11682  mag. Uroš Aljančič  Elektronske komponente in tehnologije  Raziskovalec  2000 - 2001  206 
2.  01926  dr. Slavko Amon  Elektronske komponente in tehnologije  Vodja  2000 - 2001  473 
3.  17125  Matjaž Cvar    Raziskovalec  2000 - 2001 
4.  04721  dr. Andrej Levstek  Elektronske komponente in tehnologije  Raziskovalec  1999 - 2001  103 
5.  02313  dr. Boštjan Peršič  Energetika  Raziskovalec  1999 - 2001  138 
6.  05075  dr. Drago Resnik  Elektronske komponente in tehnologije  Raziskovalec  2000 - 2001  261 
7.  04383  dr. Danilo Vrtačnik  Elektronske komponente in tehnologije  Raziskovalec  1999 - 2001  309 
8.  17129  Marijan Žurga    Raziskovalec  1999 - 2001 
Organizacije (1)
št. Evidenčna št. Razisk. organizacija Kraj Matična številka Štev. publikacijŠtev. publikacij
1.  1538  Univerza v Ljubljani, Fakulteta za elektrotehniko  Ljubljana  1626965  27.758 
Povzetek
V okviru predloženega raziskovalnega dela na področju polprevodniških, senzorskih in aktuatorskih struktur bodo raziskani osnovni procesi, ki se odvijajo v teh naprednih strukturah in odločilno vplivajo na njihove lastnosti. Na osnovi novih raziskovalnih spoznanj bo mogoče razložiti delovanje novih struktur z izboljšanimi lastnostmi. Predložene raziskave na področju zapornih, prebojnih in zaključitvenih (junction termination) pojavov bodo omogočile poglobljeno razumevanje delovanja polprevodniških, senzorskih in aktuatorskih struktur ter načrtovanje naprednejših struktur z izboljšanimi lastnostmi. Osnovni pojavi v naprednih radiacijskih detektorskih strukturah bodo podrobno analizirani, kar bo vodilo k izboljšanemu razumevanju delovanja takih struktur. Predložene raziskave na področju defektov v polprevodniških, senzorskih in aktuatorskih strukturah bodo omogočile izboljšano razumevanje defektov, njihovega nastanka in posledic. Tovrstni rezultati bodo imeli znaten vpliv pri izboljšavi polprevodniških tehnoloških procesov in načrtovanju naprednejših struktur. V okviru predloženega raziskovalnega dela na področju SiGe struktur bodo raziskani osnovni procesi v dinamiki prostih nosilcev, kar bo omogočilo izboljšano razumevanje in modeliranje polprevodniških Si in Si-Ge struktur, tako pri sobni kot znižanih temperaturah. Raziskave na področju izboljšanega modela za efektivno maso vrzeli bodo omogočile naprednejše modeliranje teh struktur. Predložene raziskave na področju mikroobdelave (micromachining) silicija, v povezavi z obvladovanjem formacije 3D struktur, bodo omogočile poglobljeno razumevanje mehanizmov mikroobdelave in bodo s tem primerna osnova za snovanje novih naprednih polprevodniških, senzorskih in aktuatorskih struktur. Osnovni pojavi v naprednih radiacijskih detektorskih strukturah bodo podrobno analizirani, kar bo vodilo k izboljšanemu razumevanju delovanja takih struktur.
Zgodovina ogledov
Priljubljeno