Projekti / Programi
Raziskava kritičnih pojavov v polprevodniških, senzorskih in aktuatorskih strukturah
| Koda |
Veda |
Področje |
Podpodročje |
| 2.09.02 |
Tehnika |
Elektronske komponente in tehnologije |
Elektronske komponente |
| Koda |
Veda |
Področje |
| T001 |
Tehnološke vede |
Elektronika in elektriška tehnologija |
radiacijsko-detektorske strukture, JFET strukture, JFET integracija, defekti, SiGe strukture, oženje prepovedanega pasu, efektivna masa vrzeli, nizkotemperaturne meritve, modeliranje procesa, modeliranje elementov, mikroobdelava, 3D strukture, senzorske strukture, aktuatorske strukture, piezorezistivnost, membrane, odebeljene membrane, integracija 3D struktur, mokro jedkanje, suho jedkanje, plazemsko jedkanje, izotropno jedkanje, anizotropno jedkanje, samokompenzacija jedkanja, spajanje ploščic
Raziskovalci (8)
| št. |
Evidenčna št. |
Ime in priimek |
Razisk. področje |
Vloga |
Obdobje |
Štev. publikacijŠtev. publikacij |
| 1. |
11682 |
mag. Uroš Aljančič |
Elektronske komponente in tehnologije |
Raziskovalec |
2000 - 2001 |
206 |
| 2. |
01926 |
dr. Slavko Amon |
Elektronske komponente in tehnologije |
Vodja |
2000 - 2001 |
473 |
| 3. |
17125 |
Matjaž Cvar |
|
Raziskovalec |
2000 - 2001 |
8 |
| 4. |
04721 |
dr. Andrej Levstek |
Elektronske komponente in tehnologije |
Raziskovalec |
1999 - 2001 |
103 |
| 5. |
02313 |
dr. Boštjan Peršič |
Energetika |
Raziskovalec |
1999 - 2001 |
138 |
| 6. |
05075 |
dr. Drago Resnik |
Elektronske komponente in tehnologije |
Raziskovalec |
2000 - 2001 |
261 |
| 7. |
04383 |
dr. Danilo Vrtačnik |
Elektronske komponente in tehnologije |
Raziskovalec |
1999 - 2001 |
309 |
| 8. |
17129 |
Marijan Žurga |
|
Raziskovalec |
1999 - 2001 |
0 |
Organizacije (1)
Povzetek
V okviru predloženega raziskovalnega dela na področju polprevodniških, senzorskih in aktuatorskih struktur bodo raziskani osnovni procesi, ki se odvijajo v teh naprednih strukturah in odločilno vplivajo na njihove lastnosti. Na osnovi novih raziskovalnih spoznanj bo mogoče razložiti delovanje novih struktur z izboljšanimi lastnostmi.
Predložene raziskave na področju zapornih, prebojnih in zaključitvenih (junction termination) pojavov bodo omogočile poglobljeno razumevanje delovanja polprevodniških, senzorskih in aktuatorskih struktur ter načrtovanje naprednejših struktur z izboljšanimi lastnostmi.
Osnovni pojavi v naprednih radiacijskih detektorskih strukturah bodo podrobno analizirani, kar bo vodilo k izboljšanemu razumevanju delovanja takih struktur.
Predložene raziskave na področju defektov v polprevodniških, senzorskih in aktuatorskih strukturah bodo omogočile izboljšano razumevanje defektov, njihovega nastanka in posledic. Tovrstni rezultati bodo imeli znaten vpliv pri izboljšavi polprevodniških tehnoloških procesov in načrtovanju naprednejših struktur.
V okviru predloženega raziskovalnega dela na področju SiGe struktur bodo raziskani osnovni procesi v dinamiki prostih nosilcev, kar bo omogočilo izboljšano razumevanje in modeliranje polprevodniških Si in Si-Ge struktur, tako pri sobni kot znižanih temperaturah. Raziskave na področju izboljšanega modela za efektivno maso vrzeli bodo omogočile naprednejše modeliranje teh struktur.
Predložene raziskave na področju mikroobdelave (micromachining) silicija, v povezavi z obvladovanjem formacije 3D struktur, bodo omogočile poglobljeno razumevanje mehanizmov mikroobdelave in bodo s tem primerna osnova za snovanje novih naprednih polprevodniških, senzorskih in aktuatorskih struktur.
Osnovni pojavi v naprednih radiacijskih detektorskih strukturah bodo podrobno analizirani, kar bo vodilo k izboljšanemu razumevanju delovanja takih struktur.
