Projekti / Programi
Vpetje Fermijevega nivoja v odvisnosti od amorfizacije vmesne plasti
| Koda |
Veda |
Področje |
Podpodročje |
| 1.02.00 |
Naravoslovje |
Fizika |
|
| Koda |
Veda |
Področje |
| P265 |
Naravoslovno-matematične vede |
Fizika polprevodnikov |
vmesna plast stika kovina/polprevodnik; vpetje Fermijevega nivoja; amorfizacija vmesne plasti
Raziskovalci (6)
Organizacije (1)
| št. |
Evidenčna št. |
Razisk. organizacija |
Kraj |
Matična številka |
Štev. publikacijŠtev. publikacij |
| 1. |
0106 |
Institut "Jožef Stefan" |
Ljubljana |
5051606000 |
90.624 |
Povzetek
Predlagano je sistematično raziskovanje modifikacije dipola na mejni plasti stika med kovino in polprevodnikom, za katerega se domneva, da je primarno odgovoren za vpetje Fermijevega nivoja v polprevodnikih, z uporabo metode nanašanja s curkom ioniziranih skupkov atomov (CIS). Metoda omogoča, z ustreno izbiro translacijske energije nanešenih kovinskih ionov, kontrolirano povzročanje lokalnega nereda v kristalni mreži v bližini mejne plasti s polprevodnikom. Pokazali smo, da je po metodi CIS izdelanih kovina/Si stikih na n- in p- tipu podlage, stopnja nereda lokalne strukture neposredno povezana s pojavom t.i. presežne kapacitete, ki je za izbran Schottkyjev stik, ugotovljena s pomočjo merjenj C-U in I-U karakteristik. Presežna kapaciteta neposredno odraža obstoj induciranega presežnega naboja na meji med kovino in polprevodnikom, ki nastane kot posledica nereda lokalne strukture. Predlagana je izdelava vrste stikov kovina/GaAs in kovina/SiGe z metodo CIS ter merjenje njihovih električnih lastnosti. Predložene so nadaljne raziskave induciranega presežnega naboja na meji, ki so nujne za uspešno interpretacijo rezultatov meritev C-U in I-U opisanih vzorcev izdelanih z metodo CIS, v okviru reševanja problema vpetja Fermijevega nivoja.
