Projekti / Programi
Raziskava reakcij na površinah in notranjih faznih mejah
| Koda |
Veda |
Področje |
Podpodročje |
| 2.09.00 |
Tehnika |
Elektronske komponente in tehnologije |
|
| Koda |
Veda |
Področje |
| T150 |
Tehnološke vede |
Tehnologija materialov |
| T155 |
Tehnološke vede |
Prevleke in površinska obdelava |
Površine, notranje fazne meje, tanke plasti, difuzija, metode za analize površin, AES, SPEM, XPS, TEM, sol-gel postopek, kontaktne površine
Raziskovalci (11)
| št. |
Evidenčna št. |
Ime in priimek |
Razisk. področje |
Vloga |
Obdobje |
Štev. publikacijŠtev. publikacij |
| 1. |
08028 |
Miha Kocmur |
|
Raziskovalec |
1998 - 2001 |
15 |
| 2. |
01703 |
Lidija Koller |
Elektronske komponente in tehnologije |
Raziskovalec |
1999 - 2001 |
80 |
| 3. |
15703 |
dr. Janez Kovač |
Elektronske komponente in tehnologije |
Raziskovalec |
1996 - 2001 |
686 |
| 4. |
10429 |
dr. Miran Mozetič |
Elektronske komponente in tehnologije |
Raziskovalec |
1998 - 2001 |
1.364 |
| 5. |
03066 |
dr. Vincenc Nemanič |
Elektronske komponente in tehnologije |
Raziskovalec |
1999 - 2001 |
248 |
| 6. |
09105 |
Borut Praček |
Elektronske komponente in tehnologije |
Raziskovalec |
1998 - 2001 |
113 |
| 7. |
10497 |
mag. Sonja Spruk |
Elektronske komponente in tehnologije |
Raziskovalec |
1998 - 2001 |
29 |
| 8. |
17622 |
Janez Trtnik |
|
Raziskovalec |
1998 - 2001 |
18 |
| 9. |
20048 |
dr. Alenka Vesel |
Elektronske komponente in tehnologije |
Raziskovalec |
1996 - 2001 |
702 |
| 10. |
01741 |
dr. Anton Zalar |
Elektronske komponente in tehnologije |
Vodja |
1999 - 2001 |
383 |
| 11. |
03366 |
Marko Žumer |
Elektronske komponente in tehnologije |
Raziskovalec |
1996 - 2001 |
112 |
Povzetek
S spektroskopijo Augerjevih elektronov (AES) smo v tankoplastnih strukturah raziskali začetno stopnjo reakcij med amorfno plastjo Al2O3 in kristaliničnimi kovinskimi plastmi Ti, Ti3Al in TiAl. Ogrevanje dvoplastnih struktur Al2O3/Ti in Al2O3/Ti3Al povzroči difuzijo kisika in aluminija v Ti in Ti3Al plasti. V obeh plasteh je bil opažen začetek interdifuzije pri okrog 425oC. Kemična reakcija na fazni meji Al2O3/TiAl ni bila ugotovljena, čeprav smo vzorec ogrevali do 700oC. S preiskavo vzorcev Al2O3/Ti smo ugotovili, da na kinetiko reakcije močno vpliva debelina tankih plasti.
Z vrstično fotoelektronsko mikroskopijo (SPEM) na sinhrotronu Elettra smo preiskali faze s strukturo (Sqrt(3) x Sqrt(3)), (1x1) ter otoke NiSi in NiSi2, ki nastanejo po interakciji med tanko plastjo Ni in polprevodniško podlago Si(111). Pojav različnih faz na površini smo pripisali različnemu mehanizmu masnega transporta Ni in Si po površini. Preiskali smo tudi strukturo Ni-SiOx/Si(111).V tem primeru smo opazili difuzijo kovine na mestu nestehiometričnega oksida.
Z vodikovo plazmo smo obdelali različne modelne in industrijske vzorce in ugotovili, da je toplotna moč, ki se sprošča na njihovi površini med izpostavo v plazmi, odvisna od stanja površine. Temperatura vzorcev se spremeni istočasno s spremembo sestave tanke plasti na površini vzorcev, obdelanih s plazmo.
S sol-gel metodo potapljanja smo nanesli prozorne, homogene tanke plasti kositrovega dioksida, dopiranega z evropijem ali terbijem, ki so postale kristalinične po 8 urnem segrevanju pri 500 °C. S pomočjo strukturne analize z metodo EXAFS smo ugotovili, da je evropij v sicer amorfni rešetki silicijevega dioksida obdan s sedmimi atomi kisika na razdalji 0,23 nm.
Raziskovali smo procese v tankih plasteh pri razplinjevanju in čiščenju v visokofrekvenčni plazmi. Predmet študija so bile tanke plasti na površini Ag kontaktnih materialov (AgNi 0,15, AgNi 10, AgCdO 10) in nekaterih polimernih materialov (crastin, lexan, araldit, ultramid) za elemente v profesionalni elektroniki.
