Filtri
cris logo
-
Novo iskanje Filtri
Izberi iz seznama
Prikazano od Prikaži več
Dosegli ste najvišje možno število prikazanih rezultatov iskanja.
Prikazani so vsi rezultati
Za izvedeno iskanje ni na voljo rezultatov
Prikazano od
Dosegli ste najvišje možno število prikazanih rezultatov iskanja.
Prikazani so vsi rezultati
Nalaganje rezultatov
Pridobivanje statističnih podatkov

Projekti / Programi vir: ARIS

Mehanizmi strukturnih sprememb v polprevodnikih

Uredi
Raziskovalna dejavnost

Koda Veda Področje Podpodročje
1.02.01  Naravoslovje  Fizika  Fizika kondenzirane materije 

Koda Veda Področje
P250  Naravoslovno-matematične vede  Kondenzirane snovi: struktura, termične in mehanske lastnosti, kristalografija, fazno ravnovesje 
T111  Tehnološke vede  Upodabljanje, obdelava podob 
Ključne besede
amorfizacija, rekristalizacija, polprevodniki, ionska implantacija, obdelava slike
Vrednotenje (pravilnik)
vir: COBISS
Vrednotenje bibliografskih kazalcev raziskovalne uspešnosti po metodologiji ARIS
Citiranost Citiranost bibliografskih zapisov v COBIB.SI, ki so povezani z zapisi citatnih baz
vir: WoS vir: Scopus vir: COBISS
Raziskovalci (1)
št. Evidenčna št. Ime in priimek Razisk. področje Vloga Obdobje Štev. publikacij
1.  03590  dr. Igor Jenčič  Fizika  Vodja  1998 - 2001  151 
Organizacije (1)
št. Evidenčna št. Razisk. organizacija Kraj Matična številka Štev. publikacij
1.  0106  Institut "Jožef Stefan"  Ljubljana  5051606000  90.706 
Povzetek
Študirali bomo obliko in obseg amorfnih struktur, ki nastanejo v polprevodnikih pri ionski implantaciji ali pri obsevanju s hitrimi nevtroni. Z elektroni bomo vzbujali rekristalizacijo amorfnih con v ionsko implantiranih polprevodnikih in natančneje določili mehanizem tega procesa. Obsevanja z nevtroni pa so namenjena preučevanju vpliva sprememb v mikrostrukturi na električne karakteristike polprevodniških detektorjev.
Zahtevana je potrditev
Zgodovina ogledov
Priljubljeno