Projekti / Programi
Raziskave prikrojenih molekularnih reorientacij in študij potencialne bariere stika kovina/polprevodnik
| Koda |
Veda |
Področje |
Podpodročje |
| 1.02.01 |
Naravoslovje |
Fizika |
Fizika kondenzirane materije |
| Koda |
Veda |
Področje |
| P260 |
Naravoslovno-matematične vede |
Kondenzirane snovi: elektronska struktura, električne, magnetne in optične lstnosti, supraprevodniki, magnetna rezonanca, relaksacija, spektroskopija |
| P265 |
Naravoslovno-matematične vede |
Fizika polprevodnikov |
chottky-jev stik; lokalizirana polprevodniška elektronska stanja;
Raziskovalci (4)
| št. |
Evidenčna št. |
Ime in priimek |
Razisk. področje |
Vloga |
Obdobje |
Štev. publikacijŠtev. publikacij |
| 1. |
01048 |
dr. Bruno Cvikl |
Fizika |
Vodja |
1999 - 2001 |
215 |
| 2. |
11343 |
dr. Renata Jecl |
Vodarstvo |
Raziskovalec |
1998 - 2001 |
219 |
| 3. |
15413 |
dr. Dean Korošak |
Fizika |
Raziskovalec |
1999 - 2001 |
230 |
| 4. |
03025 |
dr. Jožef Lep |
Matematika |
Raziskovalec |
1996 - 2001 |
108 |
Organizacije (2)
Povzetek
Značilnosti odnosa kapacitivnosti, C, v odvisnosti od zunanje napetost, U, izmerjene v zaporni smeri pri sobni temperaturi, za primer vzorcev Schottkyjevih stikov kovina/p-Si(100), kjer je kovina ali Pb ali pa Ag, so razložene na osnovi modela, ki sestoji iz sestave kovina/vmesne plasti s kovino obogatenega območja Si/p-Si. Pokazano je, da rezultirajoča kapaciteta, C, osiromašenega področja tovrstne strukture, ki je izpeljana v limiti popolne osiromašenosti, poleg običajnega v literaturi dobro poznanega izraza, zavisi že od dodatnega člena, ki je sorazmeren odvodu po zunanji napetosti interfacialne površinske gostote naboja. Izkaže se, da je s tako izpeljanim izrazom za kapaciteto Schottkyjevega stika mogoče uspešno popisati v zaporni smeri izmerjene C-U značilnosti Ag/p-Si Schottkyjevih stikov za primer pospeševalne napetosti Ag ali Pb kovinskih ionov, Ua=300 V, ki se odražajo v obstoju ozkega, intenzivnega in značilnega vrha krivulje C=C(U).
Zapisano dejstvo predstavlja, tako izgleda, prvi neposredni dokaz, da je površinska gostota nabojev, ki zasedajo lokalizirana elektronska stanja v prepovedanem pasu polprevodnika, in se pojavi na vmesni plasti med interfacialno plastjo ter p-Si podlago, enolična funkcija zunanje napetosti, katere funkcijska odvisnost je v delu eksplicitno modelirana.
