Magnetni mikrosistemi so pogosto netočni, nelinearni in močno odvisni od temperature. To se da popraviti z uporabo integriranih mikrotuljavic, ki generirajo referenčno magnetno polje in ki je lahko uporabljeno za umerjanje med delovanjem. Predstavljen je integrirani mikrosistem z magnetnim senzorjem in integrirano mikrotuljavico ter njegove prednosti in slabosti. Prikazane so zahteve za uporabo magnetnega senzorja in njegov načrt. Opisani so problemi zaradi segrevanja ter nekaj rešitev za izboljšanje magnetne učinkovitosti z upoštevanjem segrevanja.
B.03 Referat na mednarodni znanstveni konferenci
COBISS.SI-ID: 7988820Vezje opisuje bliskovni interpolacijski postopek, ki ima vgrajeno merjenje rms amplitude ortogonalnih signalov z preciznostjo merjenja 5,8%, kar zadošča za točnost referenčnega signala pri regulacijskih postopkih nastavitve amplitud na optimalno vrednost.
F.32 Mednarodni patent
COBISS.SI-ID: 6503508Predmet izuma je interpolator, ki obsega vhodni del z razdelitvijo vhodnega signala na segmente, izdelava funkcije poteka polnjenja kondenzatorja z adaptivni časovnikom. Kot izhod dobimo pulzno – širinsko moduliran signal, ki predstavlja informacijo o poziciji oziroma kotu. Pogoj za delovanje je da sta vhodna signala med seboj ortogonalna.
F.32 Mednarodni patent
COBISS.SI-ID: 7561044Lastnosti mikrobolometrov so v največji meri odvisne od njihove toplotne konduktance Gth in temperaturnega upornosti TC. Toplotno konduktanco se lahko minimizira z zmanjševanjem dimenzij termistorja ali pa z izbiro materiala z nižjo toplotno prevodnostjo. Izkaže se, da je veliko ugodneje zmanjševati dimenzije termistorjev kot izbira “boljšega” toda tehnološko nezrelega materiala. Po vseh relevantnih snovnih lastnostih je Bi idealen material za izdelavo detektorjev, toda njegova tehnologija je nedodelana.
B.03 Referat na mednarodni znanstveni konferenci
COBISS.SI-ID: 7956052Članek obravnava arhitekturo, načrtovanje, modeliranje in implementacijo elektronskega vezja za nizkošumno procesiranje signalov, ki je primeren za realizacijo visoko ločljivih MEMS/NEMS kapacitivnih senzorjev. Procesiranje signalov je primerno razdeljeno na analogno in digitalno, kar omogoča zaznavo majhnih kapacitivnih sprememb z ločljivostjo 0.5aF/?Hz na kondenzatorju velikem približno 2pF. Takšen vmesnik je mogoče uporabljati pri kapacitivnih kemijskih senzorjih. Vezje je implementirano v 0.350 µm CMOS tehnologiji.
B.03 Referat na mednarodni znanstveni konferenci
COBISS.SI-ID: 7930708