Opisan je miniaturni detekcijski sistem, ki je sposoben selektivne zaznave par različnih eksplozivov in sicer: pojasni principe delovanja ter primerja lastnosti optičnega in elektronskega odjema, pojasni princip delovanja modificiranega kapacitivnega senzorja, prikaže MEMS realizacijo kapacitivnega senzorja ter principe kemijske funkcionalizacije, elektronski merilni sistem ter postopek optimizacije šumov, kalibracijo ter oceno občutljivosti, sistemske simulacije, realizacijo in implementacije merilnega sistema, princip delovanja generatorja par ter nekatere začetne merilne rezultate v laboratoriju. Sledi izračun občutljivosti in prikaz meritve odzivov na pare RDX v zraku. Doseženi so odlični rezultati občutljivosti: 3ppt za TNT in 0.5ppt za RDX.
COBISS.SI-ID: 25306919
Predstavljen je razvoj NMOS detektorja teraherčnih signalov, ki je integriran skupaj z nizkošumnim ojačevalnikom in prilagojeno slot in dvojno dipol anteno. Detektor je optimiziran na milimeterske valove (300 GHz), z minimalno občutljivostjo (NEP) 320pW/√Hz. Celoten merjen šum na izhodu ojačevalnika z ojačenjem 46 dB ne presega 2.1 μV/√Hz.
COBISS.SI-ID: 9127252
V članku je predstavljamo sistem za preverjanje dezinfekcije rok pri osebah, ki vstopajo v prostore, kjer so najstrožje zahteve glede možne okužbe pacientov. Taki prostori so operacijske sobe in sobe za intenzivno nego. Opisan je sistem s kemičnim senzorjem, izdelanim v Laboratoriju za mikroelektroniko, ki je podprt z radiofrekvenčno pametno kartico (RFID). Članek je bil uvrščen med dvajset najboljših v letu 2012.
COBISS.SI-ID: 9033300
Prikazana je CMOS zasnova zasenčenega registra na osnovi dveh registrov v master-slave vezavi s skupnim signalom ure. Konstrukcijsko vgrajena latenca, določena s širino signala ure dopušča velike časovne zamike ob ustreznem zmanjšanju koristnega dela periode.
COBISS.SI-ID: 7831636
Na epoksiju osnovan foto občutljivi polimer SU8 je bil uporabljen kot senzorska plast za kemijski kapacitivni sensor. Struktura omogoča naknadno procesiranje na dvo metalnih tehnologijah CMOS. Odziv senzorja počasi narašča s temperaturo utrjevanja do 300°C. Nad to temperaturo pa odziv naraste za skoraj trojno vrednost. Na temperaturah med 300 in 320°C, ki so še vedno pod temperaturo degradacije za ta polimer, se struktura polimerne plasti poruši, postane odprta. To je bilo dokazano z FTIR spektroskopijo.
COBISS.SI-ID: 4060442