Preučevali smo električni transport v 5,11-bis(triethylsilylethynyl) anthradithiophene (TES ADT). TES ADT je eden od najprespektivnejših organskih polprevodnikov, saj je dobro topljiv v organskih topilih. Zaradi tega poteka priprava polprevodnih slojev pri relativno nizkih temperaturah pod 100ºC, kar predstavlja tehnološko prednost pred ostalimi polprevodniki. Študija je pokazala, da TES ADT tvori štiri različne polimorfe z izredno različnimi električnimi lastnostmi. Slednjo lastnost, kot smo pokazali, lahko uporabimo za izdelavo organskih tankoslojnih tranzistorjev.
COBISS.SI-ID: 2731515
Ugotovili smo, da organska molekula 1-pirenske butrične kisline (PBA) na reduciranem grafenskem oksidu tvori pasti za elektrone. Kvantni izračuni so pokazali, da je tvorba pasti posledica interakcije med PBA in grafenom. Prosta elektronska stanja PBA se ob stiku razširijo v grafen. Z opazovanjem časovne odvisnosti tokov fotovzbujenih nosilcev naboja smo ugotovili, da že ekstremno majhna količina PBA, ko je pokrito 0.08% površine grafena, povzroči zaznavno spremembo v gibljivosti elektronov.
COBISS.SI-ID: 2734075
Meritev časovne odvisnosti toka fotovzbujenih nosilcev po metodi preleta (TOF) omogoča opazovanje gibljivosti nosilcev naboja v tankih slojih organskih polprevodnikih. Primerjali smo TOF meritev v polprevodnem polimeru z Monte Carlo simulacijami TOF meritev. V simulacijah smo uporabili krajevno neodvisno in krajevno odvisno električno polje. Pokazali smo, da se meritev ujema z krajevno odvisnim električnim poljem med elektrodama. Demonstrirali smo, da pri krajevno neodvisnem električnem polju podcenimo gibljivost tudi za dva reda velikosti v primerjavi z krajevno odvisnim električnim polje.
COBISS.SI-ID: 2495227