1.
Meritve čaa ujemanja v polprevodniških detektorjih.
Znanstveni članek
COBISS.SI-ID:
25892391
2.
Meritve TCT na miropasovnih detektorjih z ozkim robom
Znanstveni članek
COBISS.SI-ID:
27652647
3.
Meritve zbiranja naboja v silicijevih detektorjih obsevanih do 1.6[times]10[sup]817)n[sub](eq)/c[sup](-2)
Znanstveni članek
COBISS.SI-ID:
27549479
4.
Pospešeno popuščanje poškodb v visoko obsevanih silicijevih detektorjih
Znanstveni članek
COBISS.SI-ID:
25948455
5.
Modeliranje električnaga polja v silicijevih mikropasovnih detektorjih, obsevanih z neutroni in pioni
Znanstveni članek
COBISS.SI-ID:
28348199