Karakterizacija, analiza i modelovanje fizičkih pojava u tankim slojevima za primenu u MOS nanokomponentama

Predmet projekta biće karakterizacija, analiza i modelovanje fizičkih pojava u dielektričnim nanoslojevima SiO2 i njegovim zamenama, kao što su Ta2O5, struktura Ru(RuO2)/Ta2O5 (uz međupovršinu dielektrik-Si), za savremene MOS komponente i u nanoslojevima uz međupovršinu gejt-dielektrik (različiti metalni gejtovi). Predmet projekta biće i istraživanje novih TFT (Thin Film Transistors) struktura na bazi različitih poluprovodničkih materijala i njihova fizička i električna karakterizacija. Očekivni rezultati su: 1.Objašnjeni fizički mehanizmi odgovorni za degradaciju nanosloja oksida gejta uz međupovršinu SiO2-Si u cilju dobijanja visokopouzdanih VDMOS komponenata za primene u pooštrenim uslovima rada i u radijacioniom okruženju. 2.Razvoj visokopouzdanih nanoslojeva dielektrika Ta2O5 i dielektričnih struktura (sa posebnim akcentom na strukturu Ru(RuO2)/Ta2O5) za primene u novoj generaciji dinamičkih memorija (DRAM). 3.Optimizacija električnih parametara struktura metalna elektroda-dielektrik za primene u sledećoj generaciji DRAM i logičkih CMOS. 4.Istraživanje rada i razvoj električnih modela novih TFT struktura na bazi nanoslojeva (CdSe) za potrebe organskih LED prikazivača, novih jednospojnih i multispojnih solarnih ćelija na bazi III-V poluprovodničkih nanoslojeva za efikasne solarne panele, kao i visokoosetljivih integrisanih MOS magnetnih senzora na bazi nanosloja Si na oksidu. 5.Realizacija računarski kontrolisanog sistema za električnu karakterizaciju MOS mikro i nanokomponenata.